ເນື່ອງຈາກການຂາດແຄນພະລັງງານທົ່ວໂລກແລະມົນລະພິດສິ່ງແວດລ້ອມ, ຈໍສະແດງຜົນ LED ມີພື້ນທີ່ນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງເນື່ອງຈາກຄຸນລັກສະນະຂອງການປະຫຍັດພະລັງງານແລະການປົກປ້ອງສິ່ງແວດລ້ອມ.ໃນພາກສະຫນາມຂອງການເຮັດໃຫ້ມີແສງ, ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຂອງຜະລິດຕະພັນທີ່ມີແສງສະຫວ່າງ LEDກໍາລັງດຶງດູດຄວາມສົນໃຈຂອງໂລກ.ໂດຍທົ່ວໄປແລ້ວ, ຄວາມຫມັ້ນຄົງແລະຄຸນນະພາບຂອງໂຄມໄຟ LED ແມ່ນກ່ຽວຂ້ອງກັບການລະບາຍຄວາມຮ້ອນຂອງຮ່າງກາຍຂອງໂຄມໄຟ.ໃນປັດຈຸບັນ, ການລະບາຍຄວາມຮ້ອນຂອງໂຄມໄຟ LED ຄວາມສະຫວ່າງສູງໃນຕະຫຼາດມັກຈະໃຊ້ການລະບາຍຄວາມຮ້ອນແບບທໍາມະຊາດ, ແລະຜົນກະທົບແມ່ນບໍ່ເຫມາະສົມ.ໂຄມໄຟ LEDເຮັດໂດຍແຫຼ່ງແສງສະຫວ່າງ LED ແມ່ນປະກອບດ້ວຍ LED, ໂຄງສ້າງການກະຈາຍຄວາມຮ້ອນ, ໄດເວີແລະເລນ.ດັ່ງນັ້ນ, ການລະບາຍຄວາມຮ້ອນກໍ່ເປັນສ່ວນຫນຶ່ງທີ່ສໍາຄັນ.ຖ້າ LED ບໍ່ສາມາດໃຫ້ຄວາມຮ້ອນໄດ້ດີ, ຊີວິດການບໍລິການຂອງມັນຍັງໄດ້ຮັບຜົນກະທົບ.

ການຄຸ້ມຄອງຄວາມຮ້ອນແມ່ນບັນຫາຕົ້ນຕໍໃນຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຂອງLED ຄວາມສະຫວ່າງສູງ

ເນື່ອງຈາກວ່າຝຸ່ນ p-type ຂອງກຸ່ມ III nitrides ແມ່ນຖືກຈໍາກັດໂດຍການລະລາຍຂອງ Mg ແລະພະລັງງານເລີ່ມຕົ້ນສູງຂອງຮູ, ຄວາມຮ້ອນແມ່ນງ່າຍໂດຍສະເພາະໃນພາກພື້ນ p-type, ແລະຄວາມຮ້ອນນີ້ຕ້ອງໄດ້ຮັບການກະຈາຍຢູ່ໃນຊຸດຄວາມຮ້ອນ. ໂດຍຜ່ານໂຄງສ້າງທັງຫມົດ;ວິທີການກະຈາຍຄວາມຮ້ອນຂອງອຸປະກອນ LED ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນການນໍາຄວາມຮ້ອນແລະ convection ຄວາມຮ້ອນ;ການນໍາຄວາມຮ້ອນຕ່ໍາສຸດຂອງວັດສະດຸ substrate sapphire ນໍາໄປສູ່ການເພີ່ມຂື້ນຂອງຄວາມຕ້ານທານຄວາມຮ້ອນຂອງອຸປະກອນ, ສົ່ງຜົນໃຫ້ຄວາມຮ້ອນຂອງຕົນເອງທີ່ຮ້າຍແຮງ, ເຊິ່ງມີຜົນກະທົບທີ່ຮ້າຍກາດຕໍ່ການປະຕິບັດແລະຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືຂອງອຸປະກອນ.

ຜົນກະທົບຂອງຄວາມຮ້ອນຕໍ່ຄວາມສະຫວ່າງສູງ LED

ຄວາມຮ້ອນແມ່ນເຂັ້ມຂຸ້ນຢູ່ໃນຊິບຂະຫນາດນ້ອຍ, ແລະອຸນຫະພູມຂອງຊິບເພີ່ມຂຶ້ນ, ເຮັດໃຫ້ເກີດການແຜ່ກະຈາຍທີ່ບໍ່ເປັນເອກະພາບຂອງຄວາມກົດດັນຄວາມຮ້ອນແລະການຫຼຸດລົງຂອງ chip luminous ປະສິດທິພາບແລະປະສິດທິພາບ phosphor lasing;ເມື່ອອຸນຫະພູມເກີນຄ່າທີ່ແນ່ນອນ, ອັດຕາການລົ້ມເຫຼວຂອງອຸປະກອນຈະເພີ່ມຂຶ້ນເປັນຕົວເລກ.ຂໍ້ມູນສະຖິຕິສະແດງໃຫ້ເຫັນວ່າຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືຫຼຸດລົງ 10% ທຸກໆ 2 ℃ເພີ່ມຂຶ້ນໃນອຸນຫະພູມອົງປະກອບ.ເມື່ອ LEDs ຫຼາຍອັນຖືກຈັດລຽງຢ່າງຫນາແຫນ້ນເພື່ອສ້າງເປັນລະບົບແສງສະຫວ່າງສີຂາວ, ບັນຫາຂອງການກະຈາຍຄວາມຮ້ອນແມ່ນຮ້າຍແຮງກວ່າເກົ່າ.ການແກ້ໄຂບັນຫາການຄຸ້ມຄອງຄວາມຮ້ອນໄດ້ກາຍເປັນຄວາມຕ້ອງການເບື້ອງຕົ້ນສໍາລັບການນໍາໃຊ້ຄວາມສະຫວ່າງສູງຂອງ LED.

ຄວາມສໍາພັນລະຫວ່າງຂະຫນາດຊິບແລະການກະຈາຍຄວາມຮ້ອນ

ວິທີທີ່ກົງທີ່ສຸດເພື່ອປັບປຸງຄວາມສະຫວ່າງຂອງຫນ້າຈໍສະແດງຜົນ LED ພະລັງງານແມ່ນການເພີ່ມພະລັງງານວັດສະດຸປ້ອນ, ແລະເພື່ອປ້ອງກັນການອີ່ມຕົວຂອງຊັ້ນການເຄື່ອນໄຫວ, ຂະຫນາດຂອງ pn junction ຕ້ອງໄດ້ຮັບການເພີ່ມຂຶ້ນຕາມຄວາມເຫມາະສົມ;ການເພີ່ມພະລັງງານປ້ອນຂໍ້ມູນຢ່າງຫຼີກລ່ຽງຈະເຮັດໃຫ້ອຸນຫະພູມຂອງຈຸດເຊື່ອມຕໍ່ເພີ່ມຂຶ້ນ ແລະຫຼຸດປະສິດທິພາບຂອງຄວັນຕອມ.ການປັບປຸງພະລັງງານຂອງ transistor ດຽວແມ່ນຂຶ້ນກັບຄວາມສາມາດຂອງອຸປະກອນທີ່ຈະສົ່ງອອກຄວາມຮ້ອນຈາກຈຸດເຊື່ອມຕໍ່ pn.ພາຍໃຕ້ເງື່ອນໄຂຂອງການຮັກສາວັດສະດຸ chip ທີ່ມີຢູ່ແລ້ວ, ໂຄງສ້າງ, ຂະບວນການຫຸ້ມຫໍ່, ຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງປະຈຸບັນໃນ chip ແລະການກະຈາຍຄວາມຮ້ອນທຽບເທົ່າ, ການເພີ່ມຂະຫນາດຂອງ chip ດຽວຈະເພີ່ມອຸນຫະພູມ junction.